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韩正:我们对经济高质量发展充满信心

2019-07-20 17:35 来源:腾讯健康

  韩正:我们对经济高质量发展充满信心

    再看国际形势,中国与世界的关系日益呈现新格局。图为:2015年7月17日,习近平在长春召开部分省区党委主要负责同志座谈会,听取对振兴东北地区等老工业基地和十三五时期经济社会发展的意见和建议并发表重要讲话。

  文章进一步眺望了十三五画卷:中国制造2025推动工业制造业转型升级,打造制造强国;互联网+推动信息化与工业化深度融合,新技术新概念新业态方兴未艾;城镇化目标激发更丰富的劳动力资源、激活更广阔的市场空间;提高土地产出率、资源利用率、劳动生产率,走出一条中国特色新型农业现代化道路。指针一:发展要有新境界  历经近40年改革开放,发展是硬道理发展是第一要务,早已成为全党的重要共识。

  电商行业可谓零售业领头羊,第三季度营业额同比增长了36%。  十三五时期,以开放发展统筹国内国际两个大局,以开放的主动赢得经济发展和国际竞争的主动,是开放发展理念的深层内涵,也是其应有之义。

  中央政法各单位要完善顶层设计,细化改革举措,统筹推进司法辅助人员、司法行政人员管理和内设机构等配套改革,加强业务指导,推动各地在落实中央要求的前提下创造性地开展试点工作,努力实现预期目标。  第七,创新制度。

习近平深谙此道,2013、2014、2015年在武汉、北京、杭州考察时,他都专门走访了当地的规划展览馆,听解说,看专题片,在沙盘边驻足。

    在发展理念短短五个词语的概括中,创新被放在首位。

  一、新一届领导集体制定的第一个五年规划  作为中国社会经济发展的行程表,五年计划在中国经济和社会发展中有着十分重要的作用。  前瞻性体现在科学准确的判断。

  推进文化与科技的深度融合,是培育国民经济新的增长点、提升国家文化软实力和产业竞争力的重大举措,是发展创新型经济、促进经济结构调整和发展方式转变、催生新兴业态、带动就业、满足多样化消费需求、提高人民生活质量的重要途径。

  另外,一些城市在推进一体化时,仅针对当地农村居民,而不包括外来农村居民。创新不仅是中国转变发展方式、工业转型升级的关键,创新更是十三五规划中一个与众不同、非常重要的课题。

  五年规划将覆盖经济、外交、军事、环境等关乎国家建设的方方面面。

  即将召开的五中全会,十三五规划将浮出水面,新常态思维料将贯穿其间。

  原标题:  内容摘要:以开放发展统筹十三五时期国内国际两个大局十八届五中全会强调,实现十三五时期发展目标,破解发展难题,厚植发展优势,必须牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念。未来的中国将更好利用互联网技术,提高科技创新能力,助推网络强国战略。

  

  韩正:我们对经济高质量发展充满信心

 
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氧化物阻变存储器机理与性能调控

获奖项目:氧化物阻变存储器机理与性能调控

  主要完成人:刘明(中国科学院微电子研究所),刘琦(中国科学院微电子研究所),管伟华(中国科学院微电子研究所),龙世兵(中国科学院微电子研究所),王艳(中国科学院微电子研究所)

  推荐单位:中国科学院

  获奖等级:国家自然科学奖二等奖

  项目简介:

高性能数据存储是信息科学的重要基础,氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能,是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调控涉及氧化还原、载流子迁移等物理化学效应导致的材料成分、结构和能带变化,是一个挑战性难题,解决该难题将为发展新原理的信息存储奠定科学基础。

该项目在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下,揭示了O-RRAM的高低阻态转变机理,发现了存储性能调控规律,提出了提高调控参数一致性的方法。主要科学发现如下:

1、在纳米尺度揭示了阻变机理 发展了器件原位表征的透射电子显微镜(TEM)制样方法,在纳米尺度下观察到O-RRAM导电通路形貌、结构、成分、生长/断裂等微观信息,揭示了氧化物导电桥阻变存储器中电子传输对阻变的作用机理,建立了局域氧化/还原效应主导的导电通路生长/断裂模型。惠普实验室首席科学家J. J. Yang等在Nature Nanotechnology综述中四次引用代表性论文1,并评价“在纳米尺度实时观测到阻变过程中材料成分和结构变化是非常有价值的”。

2、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律 揭示了通过功能层掺杂降低阴阳离子(氧空位、金属离子等)形成能和迁移势垒的调控机理,发现了功能层阴阳离子分布均匀性对存储性能的作用规律,首次提出了功能层掺杂的存储性能调控方法,解决了原有O-RRAM良率低、性能差的难题。台湾交通大学曾俊元教授(IEEE Fellow)在综述中用近二页篇幅引用代表性论文4-5,并评价“刘研究组首次提出掺杂纳米晶改善阻变存储器性能的方法”。

3、提出了局域电场增强调控器件参数一致性的方法 阐明了导电通路随机生长是器件参数离散的物理本质,发现了功能层电场强度与导电通路生长速率的指数规律,提出了增强局域电场实现导电通路可控生长的方法,完成了器件制备,大幅度提高了器件参数的一致性。纽约州立大学石溪分校Likharev教授(APS/IEEE Fellow)在综述中引用代表性论文8,并评价在参数一致性的问题上“中科院(该项目组)等是最值得关注的”。

8篇代表性论文被SCI他引750次,20篇主要论文被SCI他引1158次。在EDL/TED(该领域最权威期刊)、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇,二项工作入选ITRS(国际半导体发展路线图),6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于该项目的科学发现,成功研制了基于HfO2的1kb O-RRAM,电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

全部成果由该项目组独立完成。第一完成人是杰青和创新群体负责人,973项目首席科学家,第二、四完成人获国家优秀青年基金,第二完成人获卢嘉锡青年人才奖。第一完成人在重要国际会议做邀请报告30次。该项目主要成果获得2015年度中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

 

 项目主要完成人

 

阻变存储器简介

 

阻变模型与机理

 

性能调控规律

 

参数一致性方法

 


基于HfO2的1kb RRAM

 

 

 

 

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